何謂CL值：CAS latency是指對DRAM晶片上某一行下達要求所需要的時間，Latency是計算延遲的單位,所以 “CL2” CAS latency系數指延遲兩個時鐘週期,而 “CL3” latency系數指延遲三個時鐘週期。CL值越小越好，製造CAS latency系數低於CL2的晶片目前很困難，但是CL2.5,CL3是有差異的.
DDR速度的差異:SDRAM 和 DDR 的分別在於 DDR 可於時脈週期的上升與下降傳輸資料。DDR也可以稱作 PC1600 (200Mhz), PC2100 (266Mhz) 及 PC2700 (333Mhz), 這是針對可能達到的最大頻寬而言。
SDRAM
DDR SDRAM
以 DDR SDRAM 的缺點而言，最主要的有下列幾點：
1. 實際執行效能非兩倍於 SDRAM
2. 工作頻率不易再提升
3. 無法達到 Balanced System 的目標
也因此記憶體新技術的開發將在所難免。
DDR 終將被取代
被視為是目前 DDR
記憶體標準革命性替代品，DDR2
打破了DDR
的頻率限制 (DDR 400
，200MHz
時脈頻率)
，具有高頻寬可用性、容納更多晶片陣列及更低秏電量的特色。
隨著主時脈速度不斷地進展，甫問世的 DDR2
必須確保CPU
和記憶體之間的傳輸更為有效。目前為止，DDR2
的代表性產品為 DDR2 400/533
，分別在 200/266 MHz
時脈速度下運作。雖然 DDR2
的頻率是接在 DDR
之後開始 (200MHz)
，未來 DDR2
的可用性無疑將會把 DDR
遠遠抛在後面。
DDR 及 DDRII 頻寬表I
DDR2 667
及 DDR2 800
分別於 2005
及 2006
年才會問世。
強烈建議在雙通道模式中使用相同匯流排頻寬及密度。"
相同密度"
意指通道 1
的總密度，必須要等
於通道 2
的總密度。
記憶體發展時程表
DDRII 好處
DDR2
晶片使用 FBGA (
細密球型網陣列)
技術封裝，確保晶片擁有更高的容量、較小的尺寸及較低的溫度。此外， DDR2
耗電量已經從 2.5V
降到 1.8V
，能夠增加特別是可攜式裝置的電池壽命。
DDR 及 DDRII 比較
由上表可知，記憶體的工作電壓由先前 SDRAM 的 3.3V 到 DDR SDRAM 的 2.5V 演進到 DDR2 SDRAM 的 1.8V。接腳數也由先前的 184pin 增加到 240pin，此外也新增 OCD、ODT、Posted CAS 等技術，下面將會從外觀以及技術架構等層面一一介紹。
在外觀部分，由下圖可知 DDR2 SDRAM 的防呆缺口明顯的與 DDR SDRAM 不同。這是因為 DDR2 的工作電壓為 1.8V，為了與現行工作電壓 2.5V 的 DDR 記憶體有所區隔，也因此在防呆缺口方面會有所不同。而在接腳方面 DDR2 也比 DDR 來得多且密集。
接著再來看插槽外觀。由下圖，很明顯的可以看到 DDR2 的防呆缺口比 DDR 較左邊，另外在插槽上的防呆缺口也標示著此 DIMM 支援的電壓。
資料來源：台北縣立三重中學電算中心網站
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