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全球最大半導體設備廠應用材料董事長暨執行長麥可.史賓林特看好行動裝置晶片需求，認為手機廠間的競爭帶動升級需求，有利於半導體廠及設備廠的接單，並預期晶圓代工及NAND Flash的資本支出將持續增加。

同時，應材也宣布推出支援20奈米的高效能電晶體磊晶新技術，可提升行動裝置ARM應用處理器的運算。

應用材料本周在美國舊金山舉辦分析師日，麥可.史賓林特（Mike Splinter）以「行動領導力的戰爭」（The War of Mobility Leadership）為今年主題並發表專題演說，看好今年行動裝置的強勁需求，將成為半導體市場最大成長動能。

麥可.史賓林特指出，2006~2008年間，平均每年前段晶圓製造設備市場達300億美元，晶圓代工廠占比僅11％，但2010~2012年間，每年市場規模放大到325億美元，晶圓代工廠支出占比已拉升到36％。預期2013~2016年間，每年設備市場規模將來到320~350億美元新高，晶圓代工廠占出將再上升到42％，NAND Flash廠占比將達20％。

他表示，智慧型手機及平板電腦等行動裝置的銷售量快速成長，不僅帶動半導體市場需求，也刺激半導體廠擴大資本支出，而行動裝置廠商間的激烈競爭，帶動硬體升級風潮，預期晶圓代工廠、NAND Flash廠將增加支出因應需求成長。

隨著半導體製程今年下半年開始微縮至20奈米以下，明年將加速轉進16/14奈米鰭式場效電晶體（FinFET）世代，應材也推出可應用在下世代行動處理器中高效能電晶體磊晶新技術。

應材指出，下世代行動處理器晶片中，能否有速度更快的電晶體，取決於N型金屬氧化半導體（NMOS）中新的磊晶製程。 N型金屬氧化半導體磊晶技術能以約當提升半個裝置節點效能，且不增加斷態能量損耗的情形下，提升電晶體速度。

應用材料以10年來在磊晶技術的領導之姿，推出以Applied Centura RP磊晶設備為基礎的NMOS電晶體新應用。這項能力帶動業界將磊晶技術向前躍進，促使磊晶能在20奈米時，從原來P型金屬氧化半導體（PMOS）延伸到N型金屬氧化半導體，協助晶片製造廠建置更快速的裝置，精進下世代行動運算力。