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BJT

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一個電晶體可以被視為兩個二極體共用一端,像NPN電晶體為共用正極,而PNP則是共用負極。在一般狀況下,射-基極接面跨有順向偏壓(簡稱順

偏),而集-基極接面卻相反,接的是逆向偏壓(簡稱逆偏),在這種操作模態之下主要當作放大器使用,稱為順向主動模式。



操作模式

雙極電晶體有三種主要工作區間:截止區、飽和區、順向主動區。

原則上,作開關用的電晶體工作於截止區與飽和區間,切換時才短暫進入順向主動區。作A類與AB類放大用的電晶體工作於順向主動區;B類與C類放

大器雖也以工作於順向主動區為主,但在訊號處於某些相位時會落入其他工作區。

1.順向主動區(Forward active region)

以NPN電晶體為例子,射極接負電壓,基極接正電壓形成順偏,而集極電位又較基極高,是為逆偏,此時電晶體處於工作區(active region)。在

NPN電晶體處於順向主動區時,射極P-N接面上空乏區(depletion region)的熱平衡會被破壞,大量的電子由濃度高的射極區經基極擴散

(diffusion)到達基-集極接面的空乏區。到達空乏區後,由於空乏區內形成的電場,電子又被拉入集極,形成集極電流iC

2.飽和區(Saturation region)

以NPN電晶體為例子,當射-基極、集-基極接面均跨有順向偏壓時,BJT操作在飽和區。

BJT的飽和區與MOSFET的飽和區雖然名稱相同,但定義完全不同,MOSFET的飽和區操作模式,反而比較近似於BJT的順向主動模式。

3.截止區(Cutoff region)

電晶體處於不導通狀態。

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