英特爾：記憶體研究進入新里程碑

英特爾和Numonyx表示雙方在電腦記憶體上研究獲得重大進展，未來技術可望比現今快閃記憶體更便宜，效能更強大。

兩公司合作發展一種名為相變記憶體的非揮發性記憶體，或稱PCM，表示可在單一64 MB晶粒(die)堆疊起數層PCM。

在展示垂直整合PCM和雙向閾值開關(ovonic threshold switch)組成的記憶體電路元時，研究人員示範比現有用於一般硬碟及固態硬碟的NAND快閃記憶體更便宜，速度更快且密度更大的記憶體。

今天的固態硬碟的成本及儲存限制是無法快速普及於資料中心的最主要原因，即使它已比傳統硬碟更快更穩定。

PCM之所以具有取代NAND潛力是因為它的耗電量甚低。NAND利用電力來儲存及讀取記憶體，但PCM則是利用硫系玻璃(chalcogenide glass)所散發的熱，這是用於可重覆寫入的光學媒體，如CD和DVD的同一種材料。

它只需要很少的電就能在單一die上儲存更多記憶體。NAND用電的特性使它記憶體無法壓低到20奈米以下還能保持穩定。但PCM甚至可以壓低到5奈米。

雖然PCM仰賴硫系玻璃溫度是其優點，這項特性也是它的缺點。當拿來量產時，PCM需要在製程上做大幅改變，而使製造商意願不高。英特爾和Numonyx的研究是控制十分嚴謹的成果，距離投產還有一段距離。

不過研究人員表示，PCm的進展令人十分振奮已在改進當中。

「後勢很看好，研究結果顯示未來產品密度更高，陣列更具擴充性，也會有類似NAND的的使用模式。」Numonynx資深技術院士Greg Atwood說。

「這對傳統快閃記憶體十分重要，因為這類技術面臨實體限制和穩定性問題，但從手機到資料中心等各個產業應用都對記憶體的需求卻有增無減。」

英特爾和Numonyx計畫在12月9日的國際電子裝置會議上公佈這項研究成果。

去年英特爾和STMicroelectronics也展示了利用PCM技術製成的高密度，多層電路元(Multi-layre Cell, MLC)記憶體裝置。

從每層1電路元的SLC技術升級為MLC可大幅強化記憶體的密度。這份研究也在舊金山國際固態硬碟電路會議上報告。

Numonyx是由英特爾、STMicroelectronics和私募基金投資公司Francisco Partners的合資公司，旨在吸收科技公司虧錢的快閃記憶體業務。成立之初，該公司預計每年營收36億美元，其中多數來自消費性和企業快閃記憶體產品。公司資產包含來自英特爾、STMicroelectronics的研發、製造、銷售、行銷人員。