BJT

一個電晶體可以被視為兩個二極體共用一端，像NPN電晶體為共用正極，而PNP則是共用負極。在一般狀況下，射－基極接面跨有順向偏壓（簡稱順

偏），而集－基極接面卻相反，接的是逆向偏壓（簡稱逆偏），在這種操作模態之下主要當作放大器使用，稱為順向主動模式。



操作模式

雙極電晶體有三種主要工作區間：截止區、飽和區、順向主動區。

原則上，作開關用的電晶體工作於截止區與飽和區間，切換時才短暫進入順向主動區。作A類與AB類放大用的電晶體工作於順向主動區；B類與C類放

大器雖也以工作於順向主動區為主，但在訊號處於某些相位時會落入其他工作區。

1.順向主動區（Forward active region）

以NPN電晶體為例子，射極接負電壓，基極接正電壓形成順偏，而集極電位又較基極高，是為逆偏，此時電晶體處於工作區（active region）。在

NPN電晶體處於順向主動區時，射極P-N接面上空乏區（depletion region）的熱平衡會被破壞，大量的電子由濃度高的射極區經基極擴散

（diffusion）到達基－集極接面的空乏區。到達空乏區後，由於空乏區內形成的電場，電子又被拉入集極，形成集極電流iC

2.飽和區（Saturation region）

以NPN電晶體為例子，當射－基極、集－基極接面均跨有順向偏壓時，BJT操作在飽和區。

BJT的飽和區與MOSFET的飽和區雖然名稱相同，但定義完全不同，MOSFET的飽和區操作模式，反而比較近似於BJT的順向主動模式。

3.截止區（Cutoff region）

電晶體處於不導通狀態。