danny 2009-2-4 16:57
ddr2和ddr的差異
[color=#3c3c3c][b]何謂CL值：CAS latency是指對DRAM晶片上某一行下達要求所需要的時間，Latency是計算延遲的單位,所以 “CL2” CAS latency系數指延遲兩個時鐘週期,而 “CL3” latency系數指延遲三個時鐘週期。CL值越小越好，製造CAS latency系數低於CL2的晶片目前很困難，但是CL2.5,CL3是有差異的.[/b] [/color]
[color=#3c3c3c][b]DDR速度的差異:SDRAM 和 DDR 的分別在於 DDR 可於時脈週期的上升與下降傳輸資料。DDR也可以稱作 PC1600 (200Mhz), PC2100 (266Mhz) 及 PC2700 (333Mhz), 這是針對可能達到的最大頻寬而言。 [/b][/color]
[color=#ff0000]SDRAM [/color][color=#3c3c3c]
[img=574,205]http://www.scjh.tpc.edu.tw/teacher/cc/comteach/hard/sdram.jpg[/img][/color]
[color=#ff0000]DDR SDRAM[/color]
[color=#3c3c3c]以 DDR SDRAM 的缺點而言，最主要的有下列幾點：
1. 實際執行效能非兩倍於 SDRAM
2. 工作頻率不易再提升
3. 無法達到 Balanced System 的目標
也因此記憶體新技術的開發將在所難免。[/color]
[img=600,165]http://www.scjh.tpc.edu.tw/teacher/cc/comteach/hard/ddr.jpg[/img]
[img=137,33]http://www.scjh.tpc.edu.tw/teacher/cc/comteach/hard/ddr2.h23.jpg[/img]
[img=459,296]http://www.scjh.tpc.edu.tw/teacher/cc/comteach/hard/ddr2.jpg[/img][color=#3c3c3c]
[/color][b][u][size=10pt]DDR [/size][font=新細明體][size=10pt]終將被取代[/size][/font][/u]
[/b]
[font=新細明體]被視為是目前[/font] DDR [font=新細明體]記憶體標準革命性替代品，[/font]DDR2 [font=新細明體]打破了[/font]DDR [font=新細明體]的頻率限制[/font] (DDR 400[font=新細明體]，[/font]200MHz [font=新細明體]時脈頻率[/font])[font=新細明體]，具有高頻寬可用性、容納更多晶片陣列及更低秏電量的特色。[/font]
[font=新細明體]隨著主時脈速度不斷地進展，甫問世的[/font] DDR2 [font=新細明體]必須確保[/font]CPU [font=新細明體]和記憶體之間的傳輸更為有效。目前為止，[/font]DDR2 [font=新細明體]的代表性產品為[/font] DDR2 400/533[font=新細明體]，分別在[/font] 200/266 MHz [font=新細明體]時脈速度下運作。雖然[/font] DDR2 [font=新細明體]的頻率是接在[/font] DDR [font=新細明體]之後開始[/font] (200MHz)[font=新細明體]，未來[/font] DDR2 [font=新細明體]的可用性無疑將會把[/font] DDR [font=新細明體]遠遠抛在後面。[/font]
[b][size=9pt]DDR [/size][font=新細明體][size=9pt]及[/size][/font][size=9pt] DDRII [/size][font=新細明體][size=9pt]頻寬表[/size][/font][size=9pt]I
[img=493,205]http://www.scjh.tpc.edu.tw/teacher/cc/comteach/hard/ddr2.h24.gif[/img][/size][/b][font=新細明體] [/font]
[img=10,10]http://www.scjh.tpc.edu.tw/teacher/cc/comteach/hard/ddr2.h25.gif[/img]DDR2 667 [font=新細明體]及[/font] DDR2 800 [font=新細明體]分別於[/font] 2005 [font=新細明體]及[/font] 2006 [font=新細明體]年才會問世。[/font]
[font=新細明體][img=10,10]http://www.scjh.tpc.edu.tw/teacher/cc/comteach/hard/ddr2.h25.gif[/img]強烈建議在雙通道模式中使用相同匯流排頻寬及密度。[/font]"[font=新細明體]相同密度[/font]" [font=新細明體]意指通道[/font] 1 [font=新細明體]的總密度，必須要等[/font]
[font=新細明體]於通道[/font] 2 [font=新細明體]的總密度。[/font]
[b][font=新細明體][size=9pt]記憶體發展時程表[/size][/font][/b][font=新細明體] [/font]
[img=493,343]http://www.scjh.tpc.edu.tw/teacher/cc/comteach/hard/ddr2.h26.jpg[/img][font=新細明體] [/font]
[b][u][size=10pt]DDRII [/size][font=新細明體][size=10pt]好處[/size][/font][/u][/b]
DDR2 [font=新細明體]晶片使用[/font] FBGA ([font=新細明體]細密球型網陣列[/font]) [font=新細明體]技術封裝，確保晶片擁有更高的容量、較小的尺寸及較低的溫度。此外，[/font] DDR2 [font=新細明體]耗電量已經從[/font] 2.5V [font=新細明體]降到[/font] 1.8V[font=新細明體]，能夠增加特別是可攜式裝置的電池壽命。[/font]
[b][size=9pt]DDR [/size][font=新細明體][size=9pt]及[/size][/font][size=9pt] DDRII [/size][font=新細明體][size=9pt]比較[/size][/font]
[/b]
[font=新細明體][/font][color=#3c3c3c][img=489,384]http://www.scjh.tpc.edu.tw/teacher/cc/comteach/hard/Info170209.gif[/img]
由上表可知，記憶體的工作電壓由先前 SDRAM 的 3.3V 到 DDR SDRAM 的 2.5V 演進到 DDR2 SDRAM 的 1.8V。接腳數也由先前的 184pin 增加到 240pin，此外也新增 OCD、ODT、Posted CAS 等技術，下面將會從外觀以及技術架構等層面一一介紹。
在外觀部分，由下圖可知 DDR2 SDRAM 的防呆缺口明顯的與 DDR SDRAM 不同。這是因為 DDR2 的工作電壓為 1.8V，為了與現行工作電壓 2.5V 的 DDR 記憶體有所區隔，也因此在防呆缺口方面會有所不同。而在接腳方面 DDR2 也比 DDR 來得多且密集。
[img=494,166]http://www.scjh.tpc.edu.tw/teacher/cc/comteach/hard/Info170202.gif[/img]
接著再來看插槽外觀。由下圖，很明顯的可以看到 DDR2 的防呆缺口比 DDR 較左邊，另外在插槽上的防呆缺口也標示著此 DIMM 支援的電壓。
[img=494,253]http://www.scjh.tpc.edu.tw/teacher/cc/comteach/hard/Info170204.gif[/img]
[img=263,246]http://www.scjh.tpc.edu.tw/teacher/cc/comteach/hard/Info170203.gif[/img]
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[color=#3c3c3c]資料來源：台北縣立三重中學電算中心網站
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